Ученые заняты созданием молекулярной модели головного мозга
В настоящий момент, более чем в восьмидесяти институтах соединенных штатов Америки, Китая, Японии и Европы, ведется совместная работа над созданием человеческого мозга. Эксперты ученые планируют в ближайшем будущем создать полноценно работающую модель мозга на молекулярном уровне.
По предварительным данным, полученным по ходу исследования, первый результат в этой работе будет получен учеными уже спустя десятилетний отрезок времени.
По заявлению же самих ученых, полностью воссоздать структурную составляющую головного мозга можно будет с более глубоким пониманием всего технологического процесса, где активно будут применяться компьютерные технологические решения.
Новая компьютерная модель мозга должна будет функционировать по принципу, аналогичному нормальному органу. В рабочей среде больших ученых бытует мнение, что в случае успеха проекта, компьютерный мозг станет прорывом в новой электронике и механике, сообщают средства массовой информации со ссылкой на официальный источник.
Нанороботы в нашей крови, мозги - в облаке данных, и бессмертие к 2035 году
А что эти нанороботы будут делать для нас, как только они окажутся в нашем мозгу, спросите вы? Ну, согласно Курцвейлу они помогут нам придумывать остроумные шутки, которые мы сможем использовать, чтобы произвести впечатление на людей.
"В 2035 году я вижу кого-то, кто приближается ко мне, и я хочу произвести на него впечатление, и я хочу подумать о чем-то умном ... я буду в состоянии получить доступ к дополнительному неокортексу и думать о чем-то умном",- объясняет он.
Курцвейл, конечно, стал известным, сделав смелые прогнозы о будущем технологии, и он считает, что человечество будет использовать технологии для достижения бессмертия когда-то в течение ближайших 30 лет. Конечно, 65 -летний Курцвейл достаточно умен, чтобы знать, что есть шанс, что его тело (или, как он его называет, "Тело 1.0 ") может умереть, прежде чем он получит возможность загрузить свой мозг в компьютер и летать по миру, как рой нанороботов.
Чтобы убедиться, что он проживет достаточно долго, чтобы увидеть такие технологические чудеса, Курцвейл заявил, что он употребляет "250 добавок (таблеток) в день" и получает "полдюжины внутривенных инъекций каждую неделю (в основном пищевые добавки доставляются непосредственно в мою кровь, тем самым, минуя мой желудочно-кишечный тракт)".
Урок здесь состоит в том, что в то время как идея переместить наши мозги в облако звучит глупо прямо сейчас, но до реализации этого плана не так далеко, как до осуществления некоторых других предсказаний Курцвейла.
Источник: newscom.md.
Как улучшить характеристики резистивной памяти
Коротко напомним принцип функционирования RRAM. Диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно высокого напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться из диэлектрика в проводник. То есть материал фактически является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления. Чтение информации происходит с помощью приложения к одному концу резистора некоторого низкого напряжения и измерению уровня напряжения на другом конце.
Представленные RRAM-изделия ёмкостью 16 Гбит совмещают «скорость передачи данных, превышающую показатели флеш-памяти NAND» и ёмкость, характерную для DRAM. То есть фактически новые чипы объединяют достоинства двух названных типов памяти: высокую пропускную способность и энергонезависимость.
В продемонстрированных чипах памяти RRAM задействован DDR-интерфейс; пропускная способность составляет 1 Гбит/с. Используется архитектура из восьми блоков памяти, аналогичная DRAM. Показатели скорости удалось улучшить за счёт работы в параллельном режиме и конвейерного тракта данных.
Заявленная разработчиками скорость передачи информации в режиме чтения достигает 1 Гб/с, в режиме записи — 200 Мб/с. Задержка в режимах чтения и записи составляет соответственно 2 и 10 мкс.
Ячейки памяти, разработанной Micron и Sony, содержат выбирающий транзистор и элемент с изменяемым сопротивлением. Последний имеет двухслойную структуру из специальной плёнки на основе теллурида меди и изоляционного материала. Площадь микрочипов памяти составляет 168 мм2.
Ожидается, что новая память найдёт применение в твердотельных устройства хранения данных. О сроках массового производства не сообщается.
Разработкой RRAM также занимаются многие другие компании и научные коллективы. В их число входят SanDisk, Toshiba и Crossbar. Кстати, последняя уже создала рабочие образцы массивов ячеек RRAM, используя оборудование на коммерческом предприятии. Компания намерена лицензировать свою технологию сторонним производителям. Ожидается, что продукты на основе резистивной памяти с произвольным доступом появятся в течение двух–трёх лет.
Подготовлено по материалам Tech-On!.
Источник: compulenta.computerra.ru
Свежие комментарии